本發(fā)明提供了一種原子力納米探針樣品標記方法以及集成電路制造方法。根據(jù)本發(fā)明的原子力納米探針樣品標記方法包括:失效點查找步驟,用于采用聚焦離子束在原子力納米探針樣品內(nèi)找到失效點;失效點標記步驟,用于在失效點相距不大于特定距離的范圍內(nèi)用聚焦離子束進行標記;標記填充步驟,用于采用聚焦離子束在所述標記中填入填充材質(zhì);以及待測試層研磨步驟,用于采用研磨裝置對原子力納米探針樣品進行研磨,以去除待測試層之上的所有層的至少一部分。根據(jù)本發(fā)明的原子力納米探針樣品標記方法使得被標記區(qū)域的高度差能被有效控制,從而利于測試。
聲明:
“原子力納米探針樣品標記方法以及集成電路制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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