本發(fā)明提供了一種CMOS器件極限低溫特性評(píng)價(jià)方法，包括以下步驟：步驟1：確定被測(cè)CMOS器件與測(cè)試參數(shù)；步驟2：搭建極限低溫測(cè)試平臺(tái)；步驟3：開展常溫測(cè)試與極限低溫測(cè)試；步驟4：確定CMOS器件極限低溫下的關(guān)鍵參數(shù)；步驟5：建立以關(guān)鍵參數(shù)表征的CMOS器件應(yīng)力強(qiáng)度干涉模型；步驟6：計(jì)算CMOS器件極限低溫失效概率。該方法考慮到在極限低溫環(huán)境下CMOS器件會(huì)出現(xiàn)載流子凍析效應(yīng)，造成器件的性能參數(shù)漂移甚至失效，搭建了一套極限低溫測(cè)試平臺(tái)對(duì)CMOS器件開展極限低溫測(cè)試，并根據(jù)測(cè)試結(jié)果，使用應(yīng)力強(qiáng)度干涉模型評(píng)價(jià)CMOS器件的極限低溫特性，計(jì)算出CMOS器件極限低溫下的失效概率，此方法彌補(bǔ)了CMOS器件低溫測(cè)試及評(píng)價(jià)方面的技術(shù)空白，且利于推廣實(shí)現(xiàn)。