本發(fā)明公開了一種下層金屬布線的安全精確切割方法,包括以下步驟:步驟一、按以下流程用聚焦離子束技術(shù),實現(xiàn)下層金屬線切割:刻蝕時,IEE針進入反應腔,但針的閥門不打開,以離子束在每個像素上的停留時間1微秒,面積重疊比例50%的條件進行刻蝕,最外刻蝕框大小為10微米×10微米以上,每一次新刻蝕框都要求比上級框尺寸小10%以上,且不包含上級刻蝕框暴露的金屬線,以及距暴露金屬線1微米以上位置,刻蝕終點為下一層金屬線暴露,暴露出待切割金屬線;步驟二、切割金屬線,刻蝕時間在20秒-50秒,并切斷金屬線;步驟三、最后用500pA-1000pA間的束流,對全部刻蝕框用增強刻蝕模式進行清理。本發(fā)明提高
芯片的線路修復效率和成功率,大大加快芯片設(shè)計初期的調(diào)試進程和失效分析的速度,加快產(chǎn)品的上市速度及找到提高芯片量產(chǎn)的良品率。
聲明:
“下層金屬布線的安全精確切割方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)