在SET/MOS存儲器設計中,隨著存儲器容量不斷加大,位線負載也相應變大,這有可能導致讀機制失效。為了防止這種失效,必須增加靈敏放大器的充電時間,但是延長充電時間會影響讀取速度這一關鍵參數(shù)。本文在分析SET/MOS存儲器靈敏放大器工作原理的基礎上,首先研究了位線負載對SET/MOS存儲器讀出速度的影響,并通過仿真,優(yōu)化了SET/MOS存儲器的讀出電路參數(shù),從而提供了一種讀出時間可通過位線負載調節(jié)的SET/MOS存儲器設計。
聲明:
“基于SET/MOS混合結構的只讀存儲器設計” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)