本發(fā)明公開一種參考單元替換方法、裝置及存儲介質(zhì),其中,參考單元替換方法包括接收擦除操作指令;測量參考單元的輸出電流,當(dāng)所述參考單元的輸出電流與所述參考單元的設(shè)計電流不同,對所述參考單元執(zhí)行替換操作;根據(jù)所述擦除操作指令執(zhí)行擦除操作。本發(fā)明實(shí)施例中,當(dāng)接收到擦除操作指令,存儲
芯片執(zhí)行擦除操作之前,對參考單元的進(jìn)行檢測,并對出現(xiàn)問題的參考單元進(jìn)行替換,可以有效解決參考單元隨著存儲芯片的使用時間增長而逐漸失效的問題,提高存儲芯片的可靠性;另一方面,相對于讀寫操作來說,擦除操作花費(fèi)的時間較長,因此選擇在擦除操作前進(jìn)行參考單元檢測,可以避免檢測過程對存儲芯片的讀寫速度的影響。
聲明:
“參考單元替換方法、裝置及存儲介質(zhì)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)