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用于標定3D NAND位線與字線短接的方法

1082   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-19 09:00:50
本發(fā)明提供一種用于標定3D NAND位線與字線短接的方法，包括以下過程：確定目標地址，并根據(jù)目標地址確定目標字線層；將目標字線層以下的所有字線層相電連并施加一能夠打開溝道結構的溝道層的電壓；將第一探針與目標字線層相電連，將第二探針與襯底上的導電層相電連；在第一探針和第二探針上施加熱點抓取條件，利用光發(fā)射顯微鏡進行失效熱點定位。本發(fā)明方法通過將目標字線層以下的所有字線層相電連并施加一電壓，從而將溝道結構內的溝道層打開，使溝道電阻減小幾個數(shù)量級，從而增大整個回路電流，增強了失效的信號，這樣光發(fā)射顯微鏡設備就可以順利進行失效定位。利用本發(fā)明方法可以提早進行糾錯，縮短了檢測周期，提高了生產(chǎn)效率。
聲明：
“用于標定3D NAND位線與字線短接的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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