本發(fā)明公開了一種用于顯現(xiàn)MOS器件的AA結(jié)構(gòu)缺陷的腐蝕方法,包括以下步驟:第一步,將樣品倒置,放入質(zhì)量百分比為49%的氫氟酸中浸泡2.5±0.5分鐘;在浸泡的同時(shí),每30秒用去離子水沖洗之后,再用氮?dú)鈽尨狄幌聵悠繁砻妫坏诙?,如N型MOS管失效,將樣品在第一混酸中浸泡5~8秒;如P型MOS管失效,將樣品在第二混酸中浸泡30~35秒;第三步,確認(rèn)腐蝕結(jié)果,找出具體的失效模式。本發(fā)明針對不同的MOS管,使用不同的混酸來有效、清楚地顯現(xiàn)AA結(jié)構(gòu)上的缺陷,能夠提高失效分析結(jié)果的準(zhǔn)確性。
聲明:
“用于顯現(xiàn)MOS器件的AA結(jié)構(gòu)缺陷的腐蝕方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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