本發(fā)明公開了一種鍺銻碲GST樣品的處理方法,所述樣品為在刻蝕氧化硅層形成的溝槽內(nèi)填充GST的樣品,在處理之后用于掃描電子顯微鏡下測試,所述樣品處理在反應腔內(nèi)利用物理濺射方法進行,所述反應腔內(nèi)加速電壓為2.5~4千電子伏;電流為80~120微安;通入反應腔內(nèi)的氣體為氬氣。采用該方法能夠為失效分析提供準確的工藝參數(shù)。
聲明:
“鍺銻碲樣品的處理方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)