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晶體電子密度分布模型的評價方法及其應用

1106   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網  
2023-03-19 09:00:39
本發(fā)明提供了一種晶體電子密度分布模型的評價方法及其應用。所述評價方法包括:S1.計算待測晶體的正確電子密度分布模型在經歷第一微擾后的結構振幅值,所述第一微擾使得所述待測晶體中各原子的正確電子密度分布模型在經歷微擾后在晶胞內的加和與其對應的原子的核外電子數(shù)目相同;S2.計算待測晶體的當前電子密度分布模型在經歷微擾后的結構振幅值,所述微擾使當前電子密度分布模型中的低密度區(qū)發(fā)生改變;S3.比較S2中結構振幅值與S1中結構振幅值,以評價當前電子密度分布模型。本發(fā)明的評價方法可以用于晶體結構分析。在較低數(shù)據(jù)分辨率條件下,傳統(tǒng)的評價方法已經失效,而本發(fā)明提供的評價方法依然有效。
聲明:
“晶體電子密度分布模型的評價方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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