本發(fā)明提出一種平面TEM樣品的制備方法,包含制備樣品,使樣品的斷面的截面到達(dá)目標(biāo)區(qū)域附近,切割樣品到露出Poly層,濕法腐蝕,去除Poly,制備第一切割面,切割樣品,在襯底內(nèi)部制備第二切割面,最后完成平面TEM樣品。本發(fā)明為制備觀測(cè)多晶Poly下方的柵氧化層缺陷和硅襯底位錯(cuò)的TEM分析提出了一種基于現(xiàn)有技術(shù)的新方法,通過(guò)腐蝕Poly即可以去除Poly晶格對(duì)TEM觀測(cè)的影響,又可以利用腐蝕劑對(duì)襯底的腐蝕準(zhǔn)確定位柵氧化層中的缺陷。采用本發(fā)明方法能提高該類失效分析的質(zhì)量和成功率。
聲明:
“平面TEM樣品的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)