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制備TEM樣品的方法

716   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 09:00:37
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種制備TEM樣品的方法,通過在獲取失效芯片的失效點(diǎn)位置以及非失效芯片的失效分析參考點(diǎn)的位置后,將失效芯片沿垂直于選定側(cè)面的方向拋光至失效點(diǎn)的附近,并將非失效芯片沿垂直于該選定側(cè)面的方向拋光至失效分析參考點(diǎn)的附近,之后將失效芯片的正面和非失效芯片的正面粘合在一起形成一待測結(jié)構(gòu),并將待測結(jié)構(gòu)的拋光面朝上放入FIB機(jī)臺進(jìn)行TEM樣品的制備工藝,從而可以快速的制備出TEM樣品,且可以在拍攝高分辨率圖片時找到最合適的厚度,確保高分辨率圖片的質(zhì)量。
聲明:
“制備TEM樣品的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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