本發(fā)明提供了一種基于輻照試驗環(huán)境模擬的SRAM型FPGA測試方法,對采用SRAM型FPGA實現(xiàn)的電路進(jìn)行故障注入,通過持續(xù)向電路中注入隨機(jī)地址和隨機(jī)類型的單粒子翻轉(zhuǎn)故障,模擬地面輻照試驗中入射粒子LET值、注量率Flux和注量Fluence等參數(shù)對電路的影響,對電路加固設(shè)計的有效性進(jìn)行定量評估。本發(fā)明可獲取電路動態(tài)翻轉(zhuǎn)截面隨LET值變化的特性曲線,預(yù)估其在軌失效率。
聲明:
“基于輻照試驗環(huán)境模擬的SRAM型FPGA測試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)