本發(fā)明提供一種MRAM
芯片,包括一個(gè)或多個(gè)區(qū)域,區(qū)域包括多個(gè)存儲(chǔ)陣列與一個(gè)備份陣列,備份陣列中的存儲(chǔ)單元行用于替換MRAM芯片中包括失效或損壞的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元字,存儲(chǔ)單元字的寬度小于存儲(chǔ)陣列的列的數(shù)目。本發(fā)明還提供一種MRAM芯片的自測(cè)試方法。本發(fā)明提供的MRAM芯片及其自測(cè)試方法,通過(guò)設(shè)置備份陣列,使用備份陣列中的存儲(chǔ)單元行替換存儲(chǔ)陣列與備份陣列中包括損壞的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元字,存儲(chǔ)單元字的寬度小于存儲(chǔ)陣列的列的數(shù)目,從而更有效利用備份陣列中的存儲(chǔ)單元,延長(zhǎng)MRAM芯片的使用壽命。
聲明:
“MRAM芯片及其自測(cè)試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)