本發(fā)明公開了一種金屬互連線電遷移的測試結構,包括本征
多晶硅電阻、互連線測試結構、溫度監(jiān)控電阻和層間介質層,所述互連線測試結構和所述溫度監(jiān)控電阻相互平行且并排設置,所述本征多晶硅電阻位于所述層間介質層之下,所述互連線測試結構與溫度監(jiān)控電阻位于所述層間介質層之上。本發(fā)明還公開了一種金屬互連線電遷移的測試方法,在給本征多晶硅電阻通電流使互連線測試結構周圍溫度達到設定溫度之后,給互連線測試結構通恒定電流,并記錄失效時間。本發(fā)明對金屬互連線電遷移的評價不需要因在劃片后進行封裝測試而消耗硅片,從而大大的降低了成本,并且縮短了測試時間,提高了測試效率,可以實時監(jiān)控工藝變化對金屬互連線電遷移的影響。
聲明:
“金屬互連線電遷移的測試結構及方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)