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帶冗余單元的存儲器芯片的晶圓測試方法

667 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 09:00:19

本發(fā)明公開了一種帶冗余單元的存儲器芯片的晶圓測試方法，包括步驟：步驟一、根據(jù)晶圓上存儲器芯片的主區(qū)域的陣列結構和冗余單元的結構設置存儲器測試機中的存儲失效地址的存儲器的行地址和列地址的長度；步驟二、對芯片單元進行測試，并將每一行的測試結果進行或運算后存儲到行地址相同的存儲失效地址的存儲器中；步驟三、讀取存儲失效地址的存儲器中的各行的內容得出失效的行數(shù)以及行地址；步驟四、判斷存儲器芯片的主區(qū)域的各失效的行能否修復，如能則分配冗余單元替換存儲器芯片的主區(qū)域的失效行。本發(fā)明能有效減少測試時間，降低測試成本。

聲明：

“帶冗余單元的存儲器芯片的晶圓測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)