本公開(kāi)提供一種用于預(yù)測(cè)PMOS元件NBTI壽命的半導(dǎo)體元件測(cè)試方法與半導(dǎo)體元件測(cè)試系統(tǒng)。半導(dǎo)體元件測(cè)試方法包括：提供多個(gè)相同的PMOS元件；在預(yù)設(shè)溫度下對(duì)第n個(gè)所述PMOS元件的柵極多次施加時(shí)長(zhǎng)不同的第n個(gè)預(yù)設(shè)負(fù)偏壓，以獲取多個(gè)預(yù)設(shè)負(fù)偏壓下多個(gè)施壓時(shí)長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的所述PMOS元件的漏極飽和電流老化率；將多個(gè)所述漏極飽和電流老化率帶入預(yù)設(shè)方程以確定所述預(yù)設(shè)方程的擬合結(jié)果，獲取對(duì)應(yīng)于施壓值和施壓時(shí)長(zhǎng)的漏極飽和電流老化率變化曲線；根據(jù)所述漏極飽和電流老化率變化曲線確定所述PMOS元件在標(biāo)準(zhǔn)工作電壓下漏極飽和電流老化率達(dá)到預(yù)設(shè)失效值時(shí)對(duì)應(yīng)的時(shí)間。本公開(kāi)提供的半導(dǎo)體元件測(cè)試方法可以提高測(cè)試PMOS元件NBTI壽命的效率和準(zhǔn)確度。