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用于測試半導體薄膜塞貝克系數(shù)的基片及制備和測試方法

802 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 09:00:14

本發(fā)明屬于半導體材料測量設備領域，具體涉及一種用于測試半導體薄膜塞貝克系數(shù)的基片及制備和測試方法。其在拋光基底上沉積圖形化的絕緣層，之后在圖形化區(qū)域內(nèi)填充熱電阻電極、熱電阻、測試電極及引線，電極和引線圖形根據(jù)Seebeck系數(shù)測試要求設計，當測試半導體薄膜Seebeck系數(shù)時，被測薄膜沉積在有效區(qū)域內(nèi)，覆蓋在引線之上，在兩個熱電阻電極上連接一大電流電源，熱電阻溫度由電源電流大小控制，待熱電阻溫度恒定，探測測溫點之間溫度差，并采集各個測試電極間的電位差，從而獲得材料的Seebeck系數(shù)。采用本發(fā)明測試Seebeck系數(shù)時，既不會由于高溫而導致引線失效，也不會使探針與被測薄膜直接接觸造成樣品損壞，從而推進薄膜Seebeck系數(shù)測試設備的商業(yè)化應用。

聲明：

“用于測試半導體薄膜塞貝克系數(shù)的基片及制備和測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)