本發(fā)明提供了一種SOC
芯片高溫測試的方法和裝置,所述裝置包括運(yùn)行輔助電路、測試輔助電路、待測芯片和統(tǒng)計分析模塊;所述待測芯片分別與運(yùn)行輔助電路、測試輔助電路、統(tǒng)計分析模塊連接;所述待測芯片上設(shè)置有基礎(chǔ)系統(tǒng)模塊、功能運(yùn)行模塊、回路測試模塊和溫度控制模塊;所述統(tǒng)計分析模塊用于實時獲取待測芯片在測試過程中的測試數(shù)據(jù),并將測試數(shù)據(jù)發(fā)送至顯示設(shè)備進(jìn)行顯示。通過上述方案,在進(jìn)行芯片老化測試時,不僅能覆蓋到芯片內(nèi)部各個模塊的系統(tǒng)級功能的HTOL測試,也能夠覆蓋芯片管腳電路的測試,同時,還可以監(jiān)控每顆HTOL芯片的實時電性參數(shù)和運(yùn)行狀態(tài),便于老化數(shù)據(jù)分析和老化失效分析。
聲明:
“SOC芯片高溫測試的方法和裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)