本發(fā)明提供一種基于NBTI效應(yīng)PMOS管參數(shù)退化的失效預(yù)警裝置,包括依次連接的負(fù)偏壓電荷泵電路、參數(shù)監(jiān)測電路、信號處理電路以及信號鎖存輸出電路,負(fù)荷電荷泵電路輸出-VDD到0V連續(xù)可調(diào)的負(fù)偏壓至參數(shù)監(jiān)測電路,參數(shù)監(jiān)測電路將-VDD到0V連續(xù)可調(diào)的負(fù)偏壓施加至待失效預(yù)警PMOS管,施加VDD電壓至標(biāo)準(zhǔn)PMOS管,待失效預(yù)警PMOS管加速退化,輸出兩者閾值電壓至信號處理電路,信號處理電路對兩個(gè)閾值電壓進(jìn)行處理生成模擬信號輸出至信號鎖存輸出電路,信號鎖存輸出電路將模擬信號與第一參考電壓比較,生成預(yù)警信號,實(shí)現(xiàn)對失效預(yù)警PMOS管的參數(shù)退化失效預(yù)警,確保高性能集成電路的穩(wěn)定性。
聲明:
“基于NBTI效應(yīng)PMOS管參數(shù)退化的失效預(yù)警裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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