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功率半導體芯片并聯(lián)結構及其驅動回路過流失效抑制方法

944 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-19 08:59:37

本發(fā)明公開了一種功率半導體芯片并聯(lián)結構及其驅動回路過流失效抑制方法，屬于電力電子器件技術領域。本發(fā)明設計了一種新型的功率半導體芯片并聯(lián)結構，包括功率漏極端口、功率源極端口、輔助源極端口、柵極端口和若干個并聯(lián)的功率半導體芯片，基于對并聯(lián)功率半導體芯片的源極至輔助源極過流失效現象的分析，在輔助源極和芯片源極間加入了呈正溫度特性的熱敏元件，在正常運行過程中可充當驅動回路電阻，不影響運行；在并聯(lián)結構老化或故障狀態(tài)下，失衡電流流經熱敏電阻，使其升溫以及阻值增大，抑制芯片驅動回路上失衡電流的幅值，避免驅動回路過流失效，提高了功率半導體模塊的使用壽命和運行可靠性。

聲明：

“功率半導體芯片并聯(lián)結構及其驅動回路過流失效抑制方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)