本發(fā)明公開了一種無阻擋層金屬層功率器件I_GSS失效點(diǎn)定位方法，包含：第一步，將失效硅片樣品正面使用保護(hù)層保護(hù)，第二步，利用藥液去除背面金屬；第三步，使用藥液除去保護(hù)層；第四步，除去失效管芯之外的其他無關(guān)區(qū)域；第五步，打線，將柵極與源極引出；第六步，在樣品背面涂上一層有機(jī)層；第七步，對需要測試的失效管芯，利用測試機(jī)臺(tái)進(jìn)行測試抓點(diǎn)；第八步，利用機(jī)臺(tái)打打標(biāo)點(diǎn)，確認(rèn)失效點(diǎn)在樣品的相對位置，進(jìn)一步根據(jù)OM的相對位置，利用FIB位移功能確認(rèn)精確的相對位置；第九步，再把樣品正面朝上，F(xiàn)IB機(jī)臺(tái)位移至失效點(diǎn)的區(qū)域；第十步，針對確認(rèn)的失效點(diǎn)進(jìn)行后續(xù)FIB結(jié)構(gòu)分析。針對無阻擋層金屬層的功率器件，準(zhǔn)確有效地定位I_GSS失效點(diǎn)的位置。