本發(fā)明公開了一種納米級(jí)靜電保護(hù)器件失效微區(qū)的表征方法,選取一個(gè)靜電失效的納米級(jí)靜電保護(hù)器件,該器件對比失效前,在工作電壓下測得漏電流發(fā)生突增,此為失效樣品;通過激光掃描該器件表面,利用光致電阻的變化,定位缺陷位置,得到失效熱點(diǎn);根據(jù)失效熱點(diǎn),原位切割器件,通過SEM窗口實(shí)時(shí)觀察并調(diào)整適合的束流大小,得到最有分析價(jià)值的失效TEM樣品;最后通過TEM完成對失效區(qū)域原子級(jí)的表征,綜合分析,找出失效機(jī)理。本發(fā)明對納米級(jí)靜電保護(hù)器件的內(nèi)部失效微區(qū)精確定位并得到失效的高分辨圖像和元素的信息,可以對失效部位進(jìn)行有效的失效分析,得到失效機(jī)理,最終達(dá)到改進(jìn)器件性能的目的。
聲明:
“納米級(jí)靜電保護(hù)器件失效微區(qū)的表征方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)