本發(fā)明提供了一種軟失效測(cè)試系統(tǒng)、方法和電子設(shè)備,涉及
芯片測(cè)試的技術(shù)領(lǐng)域,包括上位機(jī)、測(cè)試驅(qū)動(dòng)器、待測(cè)電路板和輻射源;其中,待測(cè)電路板上設(shè)置有待測(cè)芯片;上位機(jī)接收用戶的測(cè)試指令,并將其發(fā)送至測(cè)試驅(qū)動(dòng)器;測(cè)試驅(qū)動(dòng)器基于測(cè)試指令發(fā)送預(yù)設(shè)電壓調(diào)整指令和預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)讀寫指令至待測(cè)電路板,以對(duì)待測(cè)芯片進(jìn)行預(yù)設(shè)電壓下的預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)讀寫測(cè)試;測(cè)試驅(qū)動(dòng)器還基于預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)讀寫測(cè)試的測(cè)試結(jié)果統(tǒng)計(jì)待測(cè)芯片的軟失效率,并將其反饋至上位機(jī)?;谠撥浭y(cè)試系統(tǒng),用戶通過上位機(jī)控制測(cè)試驅(qū)動(dòng)器即可對(duì)待測(cè)芯片的軟失效測(cè)試條件進(jìn)行調(diào)控,無需技術(shù)人員進(jìn)入輻射室內(nèi)進(jìn)行調(diào)整,避免了等待輻射強(qiáng)度下降的時(shí)間,進(jìn)而有效地提升了軟失效測(cè)試的測(cè)試效率。
聲明:
“軟失效測(cè)試系統(tǒng)、方法和電子設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)