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CMOS器件的EOS失效率的預測方法和裝置

975 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:59:33

本發(fā)明實施例提供一種CMOS器件的EOS失效率的預測方法和裝置，屬于集成電路技術領域。預測方法包括：確定CMOS器件的基礎EOS失效率；確定在CMOS器件的全部工藝環(huán)節(jié)中影響EOS失效率的影響因子；獲取針對每一影響因子進行EOS失效率評價的評價結果，并基于該評價結果確定示出影響因子對EOS失效率的影響程度的權重值，其中權重值越大表示影響因子對EOS失效率的影響程度越大；基于基礎EOS失效率和各個影響因子對應的權重值，建立針對EOS失效率的預測模型，以得到CMOS器件的EOS失效率的預測值。本發(fā)明從CMOS器件各個工藝環(huán)節(jié)系統(tǒng)性分析，綜合考慮影響其EOS失效率的每個影響因素，所得到的EOS失效率的預測值更為精準，從而能夠對EOS可靠性預測提供準確的預測依據(jù)。

聲明：

“CMOS器件的EOS失效率的預測方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)