本發(fā)明涉及一種用于發(fā)光二極管失效分析的
芯片取出方法,本方法好處在于通過調(diào)控腐蝕劑的濃度、溫度和腐蝕時間,迅速把半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中環(huán)氧樹脂去除掉,再用清洗劑把裸露出的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片進(jìn)行清洗,以達(dá)到把半導(dǎo)體發(fā)光芯片完好的從封裝結(jié)構(gòu)中取出目的。本方法簡單易操作,對半導(dǎo)體發(fā)光芯片表面和性能無本質(zhì)影響,是半導(dǎo)體發(fā)光芯片失效分析中一種非常重要的方法。
聲明:
“用于發(fā)光二極管失效分析的芯片取出方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)