本發(fā)明公開了一種失效分析定位方法,其屬于半導體領域的技術(shù),包括:步驟S1,預先在所述重復性結(jié)構(gòu)區(qū)域設置一目標區(qū)域;步驟S2,以所述目標區(qū)域為中心在所述被測
芯片表面設置一點陣圖形,所述點陣圖形中的組成點的面積和所述組成點與所述目標區(qū)域之間的距離成正相關(guān);步驟S3,對所述目標區(qū)域進行失效分析以定位所述目標區(qū)域中的失效點,在進行所述失效分析之前根據(jù)所述點陣圖形定位所述目標區(qū)域。該技術(shù)方案的有益效果是:本發(fā)明能夠減少抓取失效點的時間,以便快速的進行失效分析,提高了失效分析的效率,實現(xiàn)了對芯片上的重復性結(jié)構(gòu)區(qū)域中的失效點的快速定位與分析。
聲明:
“失效分析定位方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)