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閃存芯片漏電失效分析的方法

937   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:59:29
本申請(qǐng)一種閃存芯片位線間漏電失效分析的方法,涉及芯片失效分析領(lǐng)域,通過采用非破壞性分析工藝,將FIB切分工藝和奈米級(jí)探針量測(cè)工藝相結(jié)合,在完全不破壞前端工藝所有材料的狀況下,直接定位出失效的栓塞處,且其可檢測(cè)位于栓塞不同位置的橋連(如位于栓塞頂部、中間或其他任何位置處的橋連),并能夠獲得較好的TEM樣品,以便于后續(xù)TEM的精準(zhǔn)觀測(cè),即在有效提高失效分析的可靠性的同時(shí),還能大大降低失效分析所花費(fèi)的時(shí)間及工藝成本等。
聲明:
“閃存芯片漏電失效分析的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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