本發(fā)明涉及半導(dǎo)體可靠性分析領(lǐng)域,尤其涉及一種半導(dǎo)體器件失效分析的方法。本發(fā)明建立一種針對(duì)存儲(chǔ)器的失效分析的方法,通過對(duì)失效區(qū)域及其周圍區(qū)域的連接通孔進(jìn)行電壓對(duì)比分析并對(duì)電壓對(duì)比分析結(jié)果剖析,以檢測(cè)出快閃存儲(chǔ)器由于冗余替換的存儲(chǔ)區(qū)域缺陷經(jīng)過可靠性測(cè)試或?qū)嶋H使用后造成的臨近區(qū)域的失效問題。在可靠性失效中對(duì)冗余替換的信息進(jìn)行分析,為冗余電路的替換造成的可靠性失效問題提供有力的分析依據(jù),并對(duì)可靠性失效率的降低提供了分析及改善的方向。
聲明:
“半導(dǎo)體器件失效分析的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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