本發(fā)明提供一種
芯片失效分析方法,用于檢測(cè)芯片柵極的缺陷特征,其步驟包括:通過(guò)機(jī)械研磨去除進(jìn)行失效分析的芯片的襯底和有源區(qū)的大部分;通過(guò)濕法刻蝕去除芯片殘存的襯底和有源區(qū);通過(guò)干法刻蝕去除芯片的柵氧層的大部分,保留的部分柵氧層用于保護(hù)柵極第一
多晶硅層;檢測(cè)所述第一多晶硅層是否存在缺陷特征。本發(fā)明方法可將芯片準(zhǔn)確剝離至柵極第一層多晶硅的底部,測(cè)得其底部的精確尺寸參數(shù),并可大大提高工作效率,節(jié)省時(shí)間成本。
聲明:
“芯片失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)