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半導體失效分析結(jié)構(gòu)及形成方法、檢測失效時間的方法

1094 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:59:29

一種半導體失效分析結(jié)構(gòu)及其形成方法、檢測失效時間的方法，其中所述半導體失效分析結(jié)構(gòu)包括：半導體襯底，所述半導體襯底具有待測區(qū)、第一串聯(lián)區(qū)和第二串聯(lián)區(qū)；位于所述半導體襯底的待測金屬層、第一金屬層和第二金屬層；位于層間介質(zhì)層內(nèi)的第一導電插塞使第一金屬層、第二金屬層和待測金屬層串聯(lián)；位于所述第一串聯(lián)區(qū)的若干第一電阻金屬層；位于所述第二串聯(lián)區(qū)的若干第二電阻金屬層；位于第一串聯(lián)區(qū)層間介質(zhì)層內(nèi)的若干第二導電插塞；位于第二串聯(lián)區(qū)層間介質(zhì)層內(nèi)的若干第三導電插塞；所述第一導電插塞、第二導電插塞、第三導電插塞將所述待測金屬層、第一金屬層、第二金屬層、若干第一電阻金屬層和若干第二電阻金屬層依次串聯(lián)。

聲明：

“半導體失效分析結(jié)構(gòu)及形成方法、檢測失效時間的方法” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)