本實(shí)用新型提供了一種增強(qiáng)型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),增強(qiáng)型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:自下而上分布的半導(dǎo)體襯底、異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)、帽層、第一鈍化層以及第二鈍化層;貫穿第一鈍化層與第二鈍化層的凹槽;以及至少位于凹槽的內(nèi)壁的柵極絕緣層。在干法刻蝕第二鈍化層形成凹槽后,第一鈍化層可用于刻蝕終點(diǎn)檢測(cè),避免過刻蝕。在第二鈍化層凹槽處暴露出的第一鈍化層,可通過濕法刻蝕去除。濕法刻蝕去除第一鈍化層時(shí),帽層具有極高的穩(wěn)定性,所以濕法腐蝕去除第一鈍化層后,不會(huì)損傷帽層。無損傷的帽層能有效降低異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的表面缺陷,以降低電子被缺陷捕獲的幾率,實(shí)現(xiàn)減弱電流崩塌效應(yīng)以及降低動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻。
聲明:
“增強(qiáng)型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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