本發(fā)明公開了一種基于液相拋光環(huán)境調控的單晶硅無損拋光方法,實施步驟包括:將單晶硅工件完全淹沒放置在容器中的拋光液中并進行CCOS拋光加工,且在加工過程中檢測并控制拋光液pH值;將單晶硅工件清洗去除大尺寸顆粒殘留;采用離子束刻蝕工藝去除單晶硅工件表面的微小顆粒殘留。本發(fā)明能夠避免現(xiàn)有的單晶硅加工方法中引入大粒徑污染、造成工件表面產生劃痕的問題,加工出的工件表面污染低于檢出限,具有可操作性強、原料來源廣泛、工藝流程簡單的優(yōu)點。
聲明:
“基于液相拋光環(huán)境調控的單晶硅無損拋光方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)