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抑制GaN半橋模塊電壓尖峰與電流諧振的無損緩沖電路及其測試電路

1142   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網  
2023-03-19 08:58:00
一種抑制GaN半橋模塊電壓尖峰與電流諧振的無損緩沖電路及其測試電路,屬于寬禁帶半導體功率器件驅動技術領域。本發(fā)明針對現有使用GaN功率器件的半橋模塊,由于功率器件開關速度快而引起的電壓與電流尖峰會危害系統穩(wěn)定的問題。它主要由電感、電容與二極管依次并聯后再與另一電容串聯構成;所述無損緩沖電路連接在GaN半橋模塊的上橋臂功率器件漏極與下橋臂功率器件源極之間。本發(fā)明在橋式電路拓撲的功率回路寄生電感電流變化時,可為其提供低阻抗回路,從而抑制了功率器件兩端的尖峰電壓,并可破壞GaN半橋模塊中的電流諧振回路,從而避免模塊出口處的電流振蕩。
聲明:
“抑制GaN半橋模塊電壓尖峰與電流諧振的無損緩沖電路及其測試電路” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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