本發(fā)明公開(kāi)了一種無(wú)損測(cè)量納米線(xiàn)陣列比表面積和密集度的裝置，所述納米線(xiàn)陣列垂直設(shè)于導(dǎo)電基底層頂面，該裝置包括電解池，設(shè)于所述導(dǎo)電基底層底面的背電極，設(shè)于所述納米線(xiàn)陣列對(duì)應(yīng)側(cè)的對(duì)電極，以及覆蓋于所述導(dǎo)電基底層頂面未生長(zhǎng)納米線(xiàn)區(qū)域的絕緣層；所述納米線(xiàn)陣列和所述對(duì)電極浸入所述電解池中的電解液內(nèi)，同時(shí)所述導(dǎo)電基底層和所述背電極與所述電解液絕緣設(shè)置，最后在所述背電極和所述對(duì)電極之間加上偏壓U形成電解池回路結(jié)構(gòu)，其優(yōu)點(diǎn)在于，本發(fā)明測(cè)量納米線(xiàn)陣列比表面積和密集度的方法為無(wú)損測(cè)量，同時(shí)適用于大面積一維納米結(jié)構(gòu)陣列的比表面積和密集度測(cè)量，且不會(huì)破壞納米線(xiàn)陣列的完整性。