一種實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)無(wú)損測(cè)試儲(chǔ)層zeta電位的方法，清潔處理二氧化硅半球樣品，放置二氧化硅樣品進(jìn)入樣品池；啟動(dòng)二次諧波光譜設(shè)備，并開(kāi)始進(jìn)行波數(shù)和能量檢查；首先測(cè)試二氧化硅半球單獨(dú)存在下去離子水和目標(biāo)溶液的二次諧波光譜信號(hào)強(qiáng)度；放置儲(chǔ)層樣品進(jìn)入樣品池，獲取總體樣品存在下的信號(hào)強(qiáng)度：測(cè)量的總體樣品信號(hào)強(qiáng)度減去二氧化硅樣品強(qiáng)度得到儲(chǔ)層的二次諧波樣品強(qiáng)度；二次諧波信號(hào)強(qiáng)度歸一化處理；進(jìn)行儲(chǔ)層二次諧波的pH滴定實(shí)驗(yàn)，獲取儲(chǔ)層等電點(diǎn)(pzc)性質(zhì)，依次確定二階磁化率的大小χ(2)；數(shù)學(xué)計(jì)算得到儲(chǔ)層的zeta電位；本發(fā)明能夠?qū)崟r(shí)動(dòng)態(tài)無(wú)損測(cè)試在任何溶液環(huán)境下儲(chǔ)層的zeta電位，彌補(bǔ)了以往zeta電位儀測(cè)量在高濃度和高pH值失效的不足。