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在MOCVD中測量半導(dǎo)體薄膜雜質(zhì)電離能的無損測量方法

1000   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:57:58
一種在MOCVD中測量半導(dǎo)體薄膜雜質(zhì)電離能的無損測量方法,其是通過分析生長過程中薄膜材料光致發(fā)光譜譜峰強度隨溫度變化而變化的光學(xué)特征,計算獲得待測半導(dǎo)體薄膜的雜質(zhì)電離能,該測量方法包括如下步驟:在MOCVD裝置中安裝光致發(fā)光譜測試系統(tǒng);該測試系統(tǒng)測量在不同溫度下測量薄膜材料的光致發(fā)光譜,并標定和計算施主?受主峰的譜峰強度;擬合施主?受主峰譜峰強度?溫度關(guān)系實驗數(shù)據(jù),獲得薄膜材料雜質(zhì)電離能,包括施主雜質(zhì)電離能和受主雜質(zhì)電離能;重復(fù)步驟1?3,多次測量待測半導(dǎo)體薄膜雜質(zhì)電離能,采用最小二乘法,計算多次測量后的雜質(zhì)電離能。本發(fā)明是利用無損的光譜解析技術(shù),實現(xiàn)了MOCVD生長過程中對半導(dǎo)體薄膜雜質(zhì)電離能的實時測量,測試過程快速無損、精度高。
聲明:
“在MOCVD中測量半導(dǎo)體薄膜雜質(zhì)電離能的無損測量方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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