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無損檢測磷化銦與砷化鎵基材料直接鍵合質量的方法

766 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:57:50

本發(fā)明提供了一種無損檢測III-V族化合物半導體InP與GaAs基材料的直接鍵合結構質量的方法。對InP-GaAs直接鍵合結構減薄為100-250μm,進行紅外吸收光譜特性的二維掃描探測發(fā)現(xiàn),某些區(qū)域在波長3.51μm附近出現(xiàn)吸收峰,表明該區(qū)域出現(xiàn)了類似InAs微結構物質的中間層,而吸收譜上3.51μm附近不出現(xiàn)吸收峰的區(qū)域則不存在中間層,利用該波長位置是否出現(xiàn)吸收峰可區(qū)分鍵合較好與較差的界面結構區(qū)域;作出其吸收強度等值線圖可得到整個鍵合界面質量均勻性的分布圖,為鍵合裝置及鍵合條件的改進提供了方向;此外,描繪其它吸收波段(1.0μm～4.0μm)如器件工作波長處的強度等值線圖可以描述鍵合界面引起該波段光損耗的分布情況,從而為器件研制提供重要信息。

聲明：

“無損檢測磷化銦與砷化鎵基材料直接鍵合質量的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)