本發(fā)明提供一種高壓LED
芯片深刻蝕工藝,包括以下步驟:(1)選取外延片,首先進(jìn)行MESA制程,制作出所需要的圖形;(2)進(jìn)行掩膜SiO2層的沉積,同時(shí)對(duì)非腐蝕區(qū)域進(jìn)行保護(hù),然后CUT黃光制程;(3)浸泡BOE溶液,在室溫條件下濕法蝕刻待刻蝕走道的掩膜硅,再進(jìn)行ICP干法刻蝕;(4)去除光刻膠,之后在進(jìn)行180℃下浸泡自制襯底腐蝕液下腐蝕3~5min對(duì)刻蝕走道以及側(cè)壁進(jìn)行化學(xué)濕法修飾;(5)高溫腐蝕結(jié)束后沖水洗凈,再于室溫條件下再浸泡BOE溶液去除掩膜硅清洗甩干;(6)掩膜硅去除后,再進(jìn)行后續(xù)的P硅、ITO、PN、鈍化硅光刻,金屬熔合后完成點(diǎn)測(cè)。本發(fā)明使芯片刻蝕走道與側(cè)壁平整度明顯提高,可以減少HV芯片產(chǎn)品的漏電風(fēng)險(xiǎn),提高HV芯片產(chǎn)品的電性品位。
聲明:
“高壓LED芯片深刻蝕工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)