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PN接面及其制備方法及用途

816   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:56:59
本申請涉及一種PN接面及其制備方法及用途,包含所述的PN接面的半導體薄膜組件(尤其是光電二極管組件)及包含所述的半導體薄膜組件的光電感測模塊及其廣泛用途。所述的PN接面包含P型銅銦鎵硒半導體薄膜層及N型銅銦鎵硒半導體薄膜層,所述的N型銅銦鎵硒半導體薄膜層由銅銦鎵硒等元素構(gòu)成,其中銅相較于銦的莫耳數(shù)比在1.1至1.5的范圍內(nèi)且具有化學式Cu(InxGa1?x)Se2,其中x的數(shù)值在0.6至0.9的范圍內(nèi)。制備所述的PN接面的方法使用四元靶材、為干式制程、無須硒化處理且可將所述的PN接面制作于可撓性基板上。
聲明:
“PN接面及其制備方法及用途” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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