本發(fā)明提供了一種集成電路結(jié)構(gòu)及其形成方法，集成電路結(jié)構(gòu)包括襯底；層間介質(zhì)層，形成于所述襯底上，所述層間介質(zhì)層中形成有開口；擴(kuò)散阻擋層，所述擴(kuò)散阻擋層覆蓋所述開口的側(cè)壁和底壁；導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，填充于所述開口中，且所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的頂面高度低于所述擴(kuò)散阻擋層的側(cè)壁的頂面高度；刻蝕停止層，覆蓋所述層間介質(zhì)層的頂面、所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的頂面、所述擴(kuò)散阻擋層的頂面和所述擴(kuò)散阻擋層的部分側(cè)壁。通過利用化學(xué)機(jī)械研磨的工藝在研磨到擴(kuò)散阻擋層時(shí)，增加過研磨工藝中研磨導(dǎo)電材料層的時(shí)間，去除所述開口內(nèi)預(yù)定高度的導(dǎo)電材料層，增加后續(xù)的蝕刻停止層與所述擴(kuò)散阻擋層側(cè)壁附著的表面積，使蝕刻停止層更牢靠，降低測試中刻蝕停止層剝離的風(fēng)險(xiǎn)。