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碳化硅高深寬比槽刻蝕工藝優(yōu)化方法

756   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:56:36
本發(fā)明公開了碳化硅高深寬比槽刻蝕工藝優(yōu)化方法,包括以下步驟:S1、采用鍍膜設(shè)備鍍膜,測量非金屬掩膜層膜厚H1、折射率N1;S2、采用加密設(shè)備加密,測量其膜厚H2、折射率N2;S3、判斷加密工藝有效性;S4、判斷S1、S2步驟是否結(jié)束;S5、采用光刻工藝制作光刻膠掩膜;S6、采用刻蝕工藝刻蝕非金屬掩膜、采用化學(xué)腐蝕工藝去除殘留光刻膠;S7、采用刻蝕工藝刻蝕碳化硅溝槽;S8、觀察碳化硅溝槽刻蝕形貌,計算選擇比Selectivity,判定刻蝕完整性。本發(fā)明用以解決非金屬掩膜作碳化硅刻蝕掩膜刻蝕選擇比小于3,碳化硅溝槽線寬損失大的問題。
聲明:
“碳化硅高深寬比槽刻蝕工藝優(yōu)化方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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