本發(fā)明提供了一種高平整度8英寸硅片的拋光工藝,包括如下步驟:步驟一:測(cè)試硅片表面平整度前值,然后將硅片表面涂拋光蠟,之后將拋光蠟甩勻,對(duì)拋光蠟進(jìn)行烘烤使蠟具有粘性,后將涂有拋光蠟的一面貼在高溫的陶瓷盤上,待貼滿硅片的陶瓷盤冷卻;步驟二:對(duì)于冷卻的陶瓷盤進(jìn)行粗拋光、中拋光及精拋光,得到光亮平整的硅片;步驟三:將步驟二得到的硅片鏟下后進(jìn)行ADE9600測(cè)試表面平整度。本發(fā)明所述的通過改善拋光過程中的粗拋光的工藝參數(shù)來平衡機(jī)械作用及化學(xué)作用,改善拋光片表面平整度,相對(duì)于現(xiàn)有工藝,可以降低拋光產(chǎn)品的TTV、TIR、STIR及TAPER。
聲明:
“高平整度8英寸硅片的拋光工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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