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半導體集成電路器件及其制造方法

1047 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:28:33

在當前LSI或者半導體集成電路器件制造工藝中,在組裝器件的步驟(比如樹脂密封步驟)之后通常為在高溫度(比如近似范圍從85℃至130℃)和高濕度(比如約為80%RH)的環(huán)境中的電壓施加測試(高溫度和高濕度測試)。對于該測試,本發(fā)明的發(fā)明人在高溫度和高濕度測試期間發(fā)現(xiàn)作為抗反射膜的氮化鈦膜從上方膜出現(xiàn)分離以及在施加有正電壓的基于鋁的鍵合焊盤的上表面的邊緣部分在氮化鈦膜中生成裂縫這一現(xiàn)象,該現(xiàn)象歸因于由潮氣經(jīng)過密封樹脂等侵入生成氮化鈦膜的氧化和膨脹引起的電化學反應。本申請的一項發(fā)明在于在基于鋁的鍵合焊盤的外圍區(qū)域以環(huán)或者縫形狀去除焊盤之上的氮化鈦膜。

聲明：

“半導體集成電路器件及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)