本發(fā)明公開了一種在化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器或者外延層生長反應(yīng)器內(nèi)調(diào)節(jié)基片表面溫度的控溫系統(tǒng)，所述控溫系統(tǒng)包括至少兩個加熱部件，每個加熱部件至少連接一個加熱電源輸出；將預(yù)先測得的反應(yīng)器內(nèi)的基片表面溫度和其他影響溫度的參數(shù)以及為了實現(xiàn)基片表面溫度均勻，加熱電源輸出的溫度調(diào)節(jié)參數(shù)儲存在一控制器內(nèi)，在反應(yīng)器實際工作時，通過溫度測量裝置、氣體流速測量裝置、壓力測量裝置以及轉(zhuǎn)速控制裝置測量反應(yīng)器內(nèi)部相應(yīng)的工藝參數(shù)，將測得的工藝參數(shù)輸入所述控制器內(nèi)，與預(yù)先儲存在控制器內(nèi)的工藝條件參數(shù)進(jìn)行比對，找到相同或最相似的工藝條件下對應(yīng)的加熱電源輸出的溫度調(diào)節(jié)參數(shù)，從而控制對應(yīng)加熱部件的溫度，實現(xiàn)基片表面溫度的均勻分布。