通過在超導(dǎo)體層(410)上形成限定器件區(qū)域和器件區(qū)域內(nèi)的感測(cè)區(qū)域的第一抗蝕劑圖案來制造量子計(jì)算器件。去除感測(cè)區(qū)域內(nèi)的超導(dǎo)體層,從而暴露器件區(qū)域外部的下面的半導(dǎo)體層(340)的區(qū)域。對(duì)半導(dǎo)體層的暴露的區(qū)域進(jìn)行注入,形成圍繞器件區(qū)域的隔離區(qū)域(240)。在注入之后使用蝕刻工藝,暴露感測(cè)區(qū)域和與隔離區(qū)域相鄰的超導(dǎo)體層的器件區(qū)域的部分。通過在感測(cè)區(qū)域內(nèi)沉積第一金屬層,形成隧道結(jié)柵極(204)。通過將半導(dǎo)體層與第二金屬層耦合來形成感測(cè)區(qū)域柵極(202)。還形成化學(xué)勢(shì)柵極(208,210)。使用所述第二金屬在感測(cè)區(qū)域外部的器件區(qū)域的部分內(nèi)形成納米棒觸點(diǎn)(206,212)。
聲明:
“用離子注入方法制造的馬約拉納費(fèi)米子量子計(jì)算器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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