本發(fā)明涉及一種二維過渡金屬硫族化合物晶體及其制備方法和用途,所述制備方法包括如下步驟:(1)在加熱裝置中,沿著氣流方向依次放置硫族單質源和過渡金屬氧化物源;所述過渡金屬氧化物源的表面覆蓋有分子篩;所述過渡金屬氧化物源的上方放置有生長基底;(2)向所述加熱裝置中通入保護性氣體,升溫至所述過渡金屬氧化物源的溫度達到化學氣相沉積溫度、硫族單質源的溫度達到單質揮發(fā)溫度,進行化學氣相沉積,得到所述二維過渡金屬硫族化合物晶體。通過本發(fā)明的方法能夠制備得到大面積、均勻的單層或多層二維過渡金屬硫族化合物晶體,能夠用于偏振光電探測或拓撲場效應晶體管。
聲明:
“二維過渡金屬硫族化合物晶體及其制備方法和用途” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)