本發(fā)明提供了一種硅基光子材料器件制備方法,具體包括以下步驟:a)通過(guò)特殊方式加工制作出具有高密度和小尺寸的有序硅納米晶粒;b)通過(guò)光刻工藝的方式對(duì)晶粒進(jìn)行加工;c)采用UHV/CVD在硅襯底上生長(zhǎng)Ge量子點(diǎn);d)對(duì)加工過(guò)后的晶粒摻雜化學(xué)混合元素;e)利用步驟d)制備得到的晶粒形成光開(kāi)關(guān)陣列構(gòu)成光波導(dǎo)開(kāi)關(guān);f)化學(xué)研磨與物理成型;g)對(duì)加工出的硅基光子電路板進(jìn)行晶粒探針測(cè)試。本發(fā)明的制備方法可獲得熱導(dǎo)性好、電學(xué)性能好的硅基光子材料器件,且制備方法簡(jiǎn)單、成本低廉、工藝可靠。
聲明:
“硅基光子材料器件制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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