本發(fā)明提供一種頂層金屬互連層的制造方法,包括:提供半導體襯底,在所述半導體襯底上形成器件結構,并在所述器件結構上形成若干層底層金屬互連層;利用電鍍工藝,在所述若干層底層金屬互連層上形成頂層金屬互連層,所述頂層金屬互連層的晶粒尺寸小于1μm;接著,直接對所述頂層金屬互連層進行化學機械研磨工藝;在所述頂層金屬互連層上覆蓋鈍化層。本發(fā)明所述頂層金屬互連層的制造方法,能夠避免頂層金屬互連層晶粒尺寸增加,使晶體尺寸控制在小于1μm的范圍之內(nèi),從而在保持半導體器件的晶圓導通測試合格率同時,保證在化學機械研磨工藝過程中,提高頂層金屬互連層的機械抗壓力,避免半導體器件發(fā)生斷裂、坍塌等問題,進一步提高產(chǎn)品良率。
聲明:
“頂層金屬互連層的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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