本發(fā)明屬于去耦設(shè)計(jì)方法技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種
石墨烯吸波超表面去耦設(shè)計(jì)方法,包括下列步驟:基于阻抗匹配理論,建立組合結(jié)構(gòu)吸波材料的物理模型;計(jì)算吸波層的方阻值;利用CST軟件實(shí)現(xiàn)吸波材料幾何結(jié)構(gòu)建模;獲得吸波特性仿真參數(shù);利用化學(xué)氣相沉積CVD法制備石墨烯,利用激光刻蝕技術(shù)制備超表面吸波材料樣品;測(cè)試吸波特性和
芯片間隔離度。本發(fā)明基于阻抗匹配特性,研究不同電導(dǎo)率石墨烯薄膜電磁損耗特性,提高電磁波吸收率,采用十字型和四凹字組合結(jié)構(gòu),利用仿真軟件實(shí)現(xiàn)超表面單元優(yōu)化設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)雙頻諧振;利用陶瓷制備化學(xué)性能穩(wěn)定的超薄介質(zhì)層。
聲明:
“石墨烯吸波超表面去耦設(shè)計(jì)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)