本發(fā)明公開了一種摻鈰及摻鉺的硅酸鐿閃爍晶體及其制備方法,在該方法中,我們采用基于提拉法的制備方法生長出化學式為Ce
x:Er
2y:Yb
2(1?y)Si
(1?x)O
5的摻鈰及摻鉺的硅酸鐿閃爍晶體,其中0.0025≤x≤0.01,0.04≤y≤0.6,與傳統(tǒng)的硅酸鹽閃爍晶體相比,摻鈰及摻鉺的硅酸鐿閃爍晶體光產額更大,熒光衰減時間短,對γ射線具有更好的探測效率,化學性質穩(wěn)定、不潮解、機械強度好,同時鐿價格是镥價格的2%,但原子序數只少1,有望獲得性能與LSO相近的閃爍晶體,而價格低一個數量級以上。
聲明:
“摻鈰及摻鉺的硅酸鐿閃爍晶體及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)